10月24日，存储芯片概念股暴动，截至收盘，$普冉股份(688766)、$香农芯创(300475)涨20%，$恒烁股份(688416)涨超18%，江波龙（301308.SZ）涨16.73%，华虹公司（688347.SH）、佰维存储（688525.SH）、德明利（001309.SZ）均大涨。
港股方面，华虹半导体(01347.HK)涨13.73%，中芯国际(00981.HK)涨超8%。
消息面，三星电子与SK海力士已在第四季度将其DRAM和NAND闪存的价格上调最高达30%，并将新的价格体系传导至客户，这也反映出当前存储市场供需失衡的紧张状况。
其他存储产商亦有动作。根据花旗集团和摩根士丹利的预测，今年第四季度，DRAM平均售价将上涨25-26%，涨价热潮或进一步加剧。
近年来，AI技术狂飙突进，数据中心基建加速，驱动上游的存储芯片需求激增。在AI时代，存储芯片已从配角跃升为核心瓶颈与突破口，AI浪潮正引爆一场“存力”革命。
值得注意的是，不少大客户积极行动，与头部存储产商洽谈中长期供应合同。
此前OpenAI的掌门人奥特曼访问韩国期间与三星电子、SK海力士达成战略合作伙伴关系，就“星际之门”项目每月向两家公司采购90万片晶圆。虽然该事件被部分人质疑为“画饼”，但却极大提振了资本市场情绪，进一步推高了存储市场的涨价预期。
具体而言，本轮存储芯片涨价主要由HBM芯片所代表。
美光公司首席商务官苏米特·萨达纳曾表示，DRAM价格上涨部分原因是供应紧张，而这一趋势很大程度上是由HBM需求激增推动的，因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。
近年来，由于大模型参数规模与训练数据量的爆炸式增长，传统内存技术已成为制约算力发挥的“内存墙”，而HBM凭借其超高带宽、低功耗和小体积特性，正成为AI芯片的主流选择，其需求迅猛增长，成为存储芯片赛道中的“香饽饽”。
除了高端的HBM芯片需求强劲，传统的DRAM和NAND芯片亦供不应求。随着人工智能投资从大容量数据训练转向推理，传统存储芯片需求也有望跑出加速度。
根据韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。
展望后市，不少机构看好本轮存储大周期的持续性。
摩根士丹利预测，鉴于明年存储领域可能出现供需失衡，内存芯片行业将迎来 “超级周期”。市场需求高企的背景下，存储芯片行业也开始出现供不应求、涨价、转变订货模式等一系列连锁反应。
另有分析人士指出，AI服务器存储产品的涨价潮或延续至2026年。国内存储公司有望继续受益于“价格回升+国产替代”的双重驱动。叠加消费电子需求提升，国内存储芯片公司开工情况稳中向好。这或许也是近期国内存储芯片概念股轮番表现的重要原因。
作者：飞鱼
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